| 【構成】 |
| 基板寸法 |
：最大φ4インチ |
| 電極構造 |
：平行平板(デポタウン) |
| プラズマ電極 |
：外径φ150、シャワー式ガス噴射
：自動整合器マウント |
| 基板電極 |
：外径φ150
：ヒーター内臓式、基板加熱Max500℃ |
| 成膜チャンパー |
：φ300 |
| 上蓋閉会式 |
：プラズマ電極搭載 |
| 排気マニホールド |
：チャンパー底蓋に搭載 |
| 高周波電源 |
：13.56MHz、300W |
| ガス導入系 |
：TEOSキャビネット、ベーカブルMFC付き
：TEOSキャリア用Ｎ２ライン
：酸素ライン、MFC付き
：CF4ライン、流量付き
：チャンパーリーグ用N2ライン
：排気ガス希釈用N2ライン、流量付き |
| 真空排気系 |
：MBP 100m3/min
：RP 300L/min
：コンダクタンス調整バタフライバルブ
：アイソレートバルブ
|
| 真空計 |
：ダイヤフラム式真空計
：電離真空計 |
