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2インチ3源RFスパッタ装置
化合物成膜を対象とした3源RFマグネトロンスパッタ装置です。
任意の2源同時スパッタが可能です。
●基板寸法最大2インチ
●基板ホルダー:基板加熱500℃、基板回転付き
●スパッタカソード:φ2インチマグネトロンカソード(3基)
●ガス系:Ar、O2 MFC2系統
●基板挿入:前面ヒンジ扉 ※ロードロック増設可

1インチ3源RF・DC切替スパッタ装置
3源の1インチマグネトロンカソードを搭載した平行平板型RF・DCスパッタ装置です。
上蓋ヒンジ開閉構造、デポダウン(スパッタダウン)方式の装置構成で
メンテナンス性に優れます。
また、3源RFスパッタカソードにより、大気開放することなく連続3種の積層成膜が可能です。
ロードロック室の増設・拡張が可能です。

1インチRFスパッタ装置
1インチマグネトロンカソードを搭載したデポダウン方式のRFスパッタ装置です。
600℃加熱・基板回転機構を備えた基板ホルダーを搭載し、外部からのT/S距離可変です。
ロ−ドロック室の増設・拡張が可能です。

4インチ3源RFスパッタ装置

金属・絶縁材料を対象とした3源RFマグネトロンスパッタ装置です。
基板は、加熱機構・逆スパッタ機構を備えています。
●基板寸法:最大3インチ(3枚収納可)
●基板ホルダー:基板加熱500℃、基板回転、逆スパッタ機構付き
●スパッタカソード:(φ4インチマグネトロンカソード(3基)
●ガス系:Ar、02 MFC2系統
●基板挿入:上蓋手動開閉